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STB155N3H6

STB155N3H6
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Numero di parte STB155N3H6
fabbricante STMicroelectronics
Descrizione MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 52009 pcs
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Numero di parte STB155N3H6 fabbricante STMicroelectronics
Descrizione MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 52009 pcs Scheda dati ST(B,D)155N3H6
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore D2PAK Serie DeepGATE™, STripFET™ VI
Rds On (max) a Id, Vgs 3 mOhm @ 40A, 10V Dissipazione di potenza (max) 110W (Tc)
imballaggio Cut Tape (CT) Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Altri nomi 497-11322-1
497-11322-5
497-11322-5-ND		 temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3650pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 62nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Tensione drain-source (Vdss) 30V Descrizione dettagliata N-Channel 30V 80A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D2PAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 80A (Tc)

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