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STB14NM65N

STB14NM65N
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Numero di parte STB14NM65N
fabbricante STMicroelectronics
Descrizione MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 34349 pcs
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Numero di parte STB14NM65N fabbricante STMicroelectronics
Descrizione MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 34349 pcs Scheda dati STx14NM65N
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±25V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore D2PAK Serie MDmesh™ II
Rds On (max) a Id, Vgs 380 mOhm @ 6A, 10V Dissipazione di potenza (max) 125W (Tc)
imballaggio Tape & Reel (TR) Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Altri nomi 497-7000-2 temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1300pF @ 50V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 45nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Tensione drain-source (Vdss) 650V Descrizione dettagliata N-Channel 650V 12A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount D2PAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 12A (Tc)

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