STB11NM60-1
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| Numero di parte | STB11NM60-1 |
|---|---|
| fabbricante | STMicroelectronics |
| Descrizione | MOSFET N-CH 650V 11A I2PAK |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | Get a quote | ||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | STB11NM60-1 | fabbricante | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 650V 11A I2PAK | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 5068 pcs | Scheda dati | ST(P,B)11NM60(FP,-1) |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±30V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | I2PAK | Serie | MDmesh™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 450 mOhm @ 5.5A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 160W (Tc) |
| imballaggio | Tube | Contenitore / involucro | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Altri nomi | 497-5379-5 STB11NM60-1-ND |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Through Hole | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1000pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 650V | Descrizione dettagliata | N-Channel 650V 11A (Tc) 160W (Tc) Through Hole I2PAK |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 11A (Tc) |
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