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STB100N6F7

STB100N6F7
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Numero di parte STB100N6F7
fabbricante STMicroelectronics
Descrizione MOSFET N-CH 60V 100A F7 D2PAK
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 69239 pcs
Prezzo di Riferimento
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Numero di parte STB100N6F7 fabbricante STMicroelectronics
Descrizione MOSFET N-CH 60V 100A F7 D2PAK Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 69239 pcs Scheda dati STB100N6F7
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore D2PAK Serie STripFET™ F7
Rds On (max) a Id, Vgs 5.6 mOhm @ 50A, 10V Dissipazione di potenza (max) 125W (Tc)
imballaggio Cut Tape (CT) Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Altri nomi 497-15894-1 temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 38 Weeks Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1980pF @ 25V Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V
Tipo FET N-Channel Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V Tensione drain-source (Vdss) 60V
Descrizione dettagliata N-Channel 60V 100A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount D2PAK Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 100A (Tc)

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