SCT30N120
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| Numero di parte | SCT30N120 |
|---|---|
| fabbricante | STMicroelectronics |
| Descrizione | MOSFET N-CH 1200V 45A HIP247 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | 30 pcs | 120 pcs | ||
|---|---|---|---|---|---|
| $10.918 | $9.617 | $8.599 | |||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SCT30N120 | fabbricante | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 1200V 45A HIP247 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 3912 pcs | Scheda dati | Power Mgmt Guide BrochureSCT30N120Fine Tune SIC MOSFET Gate Driver |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 2.6V @ 1mA (Typ) |
| Vgs (Max) | +25V, -10V | Tecnologia | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | HiP247™ | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 100 mOhm @ 20A, 20V | Dissipazione di potenza (max) | 270W (Tc) |
| imballaggio | Tube | Contenitore / involucro | TO-247-3 |
| Altri nomi | 497-14960 | temperatura di esercizio | -55°C ~ 200°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Through Hole | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1700pF @ 400V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 105nC @ 20V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 1200V | Descrizione dettagliata | N-Channel 1200V 40A (Tc) 270W (Tc) Through Hole HiP247™ |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 40A (Tc) |
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