PD20010-E
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| Numero di parte | PD20010-E |
|---|---|
| fabbricante | STMicroelectronics |
| Descrizione | TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | 50 pcs | 100 pcs | 500 pcs | |
|---|---|---|---|---|---|
| $6.608 | $5.819 | $5.127 | $4.561 | ||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | PD20010-E | fabbricante | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| Descrizione | TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 8434 pcs | Scheda dati | PD20010-E |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Tensione - Prova | 13.6V |
| Tensione - nominale | 40V | Tipo transistor | LDMOS |
| Contenitore dispositivo fornitore | PowerSO-10RF (Formed Lead) | Serie | - |
| Alimentazione - uscita | 10W | imballaggio | Tube |
| Contenitore / involucro | PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads) | Altri nomi | 497-13044-5 PD20010-E-ND PD20010E |
| Figura di rumore | - | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) |
| Produttore tempi di consegna standard | 25 Weeks | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Guadagno | 11dB | Frequenza | 2GHz |
| Descrizione dettagliata | RF Mosfet LDMOS 13.6V 150mA 2GHz 11dB 10W PowerSO-10RF (Formed Lead) | Valutazione attuale | 5A |
| Corrente - Test | 150mA | Numero di parte base | PD20010 |
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