NAND01GW3B2AZA6E
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| Numero di parte | NAND01GW3B2AZA6E |
|---|---|
| fabbricante | STMicroelectronics |
| Descrizione | IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1260 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $3.981 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | NAND01GW3B2AZA6E | fabbricante | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| Descrizione | IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 8688 pcs | Scheda dati | NAND01G-B2B, NAND02G-B2C |
| Categoria | Circuiti integrati (ICS) | Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina | 30ns |
| Tensione di alimentazione - | 2.7 V ~ 3.6 V | Tecnologia | FLASH - NAND |
| Contenitore dispositivo fornitore | 63-VFBGA (9x11) | Serie | - |
| imballaggio | Tray | Contenitore / involucro | 63-TFBGA |
| Altri nomi | 497-5036 | temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) |
| Tipo di memoria | Non-Volatile | Dimensione della memoria | 1Gb (128M x 8) |
| Interfaccia di memoria | Parallel | Formato di memoria | FLASH |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Descrizione dettagliata | FLASH - NAND Memory IC 1Gb (128M x 8) Parallel 30ns 63-VFBGA (9x11) |
| Numero di parte base | NAND01G | Tempo di accesso | 30ns |
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