IRF640
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| Numero di parte | IRF640 |
|---|---|
| fabbricante | STMicroelectronics |
| Descrizione | MOSFET N-CH 200V 18A TO-220 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 2000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.262 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | IRF640 | fabbricante | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 200V 18A TO-220 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 79281 pcs | Scheda dati | IRF640(FP) |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | TO-220AB | Serie | MESH OVERLAY™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 180 mOhm @ 9A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 125W (Tc) |
| imballaggio | Tube | Contenitore / involucro | TO-220-3 |
| Altri nomi | 497-2759-5 | temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Through Hole | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1560pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 72nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 200V | Descrizione dettagliata | N-Channel 200V 18A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 18A (Tc) |
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