RJM0603JSC-00#13
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| Numero di parte | RJM0603JSC-00#13 |
|---|---|
| fabbricante | Renesas Electronics America |
| Descrizione | MOSFET 3N/3P-CH 60V 20A HSOP |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | Get a quote | ||||
- Parametro del prodotto
Product parameter
| Numero di parte | RJM0603JSC-00#13 | fabbricante | Renesas Electronics America |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET 3N/3P-CH 60V 20A HSOP | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 4149 pcs | Scheda dati | |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 2.5V @ 1mA |
| Contenitore dispositivo fornitore | 20-HSOP | Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 20 mOhm @ 10A, 10V | Potenza - Max | 54W |
| imballaggio | - | Contenitore / involucro | 20-SOIC (0.433", 11.00mm Width) Exposed Pad |
| temperatura di esercizio | 175°C | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2600pF @ 10V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 43nC @ 10V |
| Tipo FET | 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge) | Caratteristica FET | Logic Level Gate, 4.5V Drive |
| Tensione drain-source (Vdss) | 60V | Descrizione dettagliata | Mosfet Array 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge) 60V 20A 54W Surface Mount 20-HSOP |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 20A |
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