RJK5030DPD-00#J2
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| Numero di parte | RJK5030DPD-00#J2 |
|---|---|
| fabbricante | Renesas Electronics America |
| Descrizione | MOSFET N-CH 500V 5A MP3A |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | Get a quote | ||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | RJK5030DPD-00#J2 | fabbricante | Renesas Electronics America |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 500V 5A MP3A | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 4609 pcs | Scheda dati | RJK5030DPD |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | - |
| Vgs (Max) | ±30V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | MP-3A | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 1.6 Ohm @ 2A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 41.7W (Tc) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 550pF @ 25V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 500V | Descrizione dettagliata | N-Channel 500V 5A (Ta) 41.7W (Tc) Surface Mount MP-3A |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 5A (Ta) |
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