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RJK0853DPB-00#J5

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Numero di parte RJK0853DPB-00#J5
fabbricante Renesas Electronics America
Descrizione MOSFET N-CH 80V 40A LFPAK
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 5838 pcs
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Numero di parte RJK0853DPB-00#J5 fabbricante Renesas Electronics America
Descrizione MOSFET N-CH 80V 40A LFPAK Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 5838 pcs Scheda dati RJK0853DPB
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Contenitore dispositivo fornitore LFPAK
Serie - Rds On (max) a Id, Vgs 8 mOhm @ 20A, 10V
Dissipazione di potenza (max) 65W (Tc) imballaggio Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro SC-100, SOT-669 Altri nomi RJK0853DPB-00#J5CT
RJK0853DPB00J5
temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 6170pF @ 10V Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 40nC @ 4.5V
Tipo FET N-Channel Caratteristica FET -
Tensione drain-source (Vdss) 80V Descrizione dettagliata N-Channel 80V 40A (Ta) 65W (Tc) Surface Mount LFPAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 40A (Ta)

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