RJK0652DPB-00#J5
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| Numero di parte | RJK0652DPB-00#J5 |
|---|---|
| fabbricante | Renesas Electronics America |
| Descrizione | MOSFET N-CH 60V 35A LFPAK |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | Get a quote | ||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | RJK0652DPB-00#J5 | fabbricante | Renesas Electronics America |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 60V 35A LFPAK | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 5101 pcs | Scheda dati | RJK0652DPB |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | - |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | LFPAK | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 7 mOhm @ 17.5A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 55W (Tc) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | SC-100, SOT-669 |
| Altri nomi | RJK0652DPB-00#J5-ND RJK0652DPB-00#J5TR |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4100pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 29nC @ 4.5V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 60V | Descrizione dettagliata | N-Channel 60V 35A (Ta) 55W (Tc) Surface Mount LFPAK |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 35A (Ta) |
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- Parte#:
RU2012FR039CS - Produttori:
Samsung Electro-Mechanics America, Inc. - Descrizione:
RES 39M OHM 1% 1/3W 0805 - Disponibile:
1721078