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R1WV6416RBG-5SI#B0

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Numero di parte R1WV6416RBG-5SI#B0
fabbricante Renesas Electronics America
Descrizione 64M MCP(2X32M) ADV.SRAM 3V FBGA
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 2885 pcs
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Numero di parte R1WV6416RBG-5SI#B0 fabbricante Renesas Electronics America
Descrizione 64M MCP(2X32M) ADV.SRAM 3V FBGA Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 2885 pcs Scheda dati R1WV6416R Series
Categoria Circuiti integrati (ICS) Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina 55ns
Tensione di alimentazione - 2.7 V ~ 3.6 V Tecnologia SRAM
Contenitore dispositivo fornitore 48-TFBGA (8.5x11) Serie -
imballaggio Tray Contenitore / involucro 48-TFBGA
temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) Tipo di memoria Volatile
Dimensione della memoria 64Mb (8M x 8, 4M x 16) Interfaccia di memoria Parallel
Formato di memoria SRAM Produttore tempi di consegna standard 18 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Descrizione dettagliata SRAM Memory IC 64Mb (8M x 8, 4M x 16) Parallel 55ns 48-TFBGA (8.5x11)
Tempo di accesso 55ns

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