R1RW0416DSB-2PR#B0
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| Numero di parte | R1RW0416DSB-2PR#B0 |
|---|---|
| fabbricante | Renesas Electronics America |
| Descrizione | IC SRAM IBIS ASYNC |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | Get a quote | ||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | R1RW0416DSB-2PR#B0 | fabbricante | Renesas Electronics America |
|---|---|---|---|
| Descrizione | IC SRAM IBIS ASYNC | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 4408 pcs | Scheda dati | R1RW0416D Series |
| Categoria | Circuiti integrati (ICS) | Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina | 12ns |
| Tensione di alimentazione - | 3 V ~ 3.6 V | Tecnologia | SRAM |
| Contenitore dispositivo fornitore | 44-TSOP II | Serie | - |
| imballaggio | Tube | Contenitore / involucro | 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) | Tipo di memoria | Volatile |
| Dimensione della memoria | 4Mb (256K x 16) | Interfaccia di memoria | Parallel |
| Formato di memoria | SRAM | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Descrizione dettagliata | SRAM Memory IC 4Mb (256K x 16) Parallel 12ns 44-TSOP II | Tempo di accesso | 12ns |
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