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NP88N04NUG-S18-AY

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Numero di parte NP88N04NUG-S18-AY
fabbricante Renesas Electronics America
Descrizione MOSFET N-CH 40V 88A TO-262
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 4205 pcs
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Numero di parte NP88N04NUG-S18-AY fabbricante Renesas Electronics America
Descrizione MOSFET N-CH 40V 88A TO-262 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 4205 pcs Scheda dati NP88N04NUG
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore TO-262 Serie -
Rds On (max) a Id, Vgs 3.4 mOhm @ 44A, 10V Dissipazione di potenza (max) 1.8W (Ta), 200W (Tc)
imballaggio Tube Contenitore / involucro TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
temperatura di esercizio 175°C (TJ) Tipo montaggio Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 15000pF @ 25V Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 250nC @ 10V
Tipo FET N-Channel Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V Tensione drain-source (Vdss) 40V
Descrizione dettagliata N-Channel 40V 88A (Tc) 1.8W (Ta), 200W (Tc) Through Hole TO-262 Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 88A (Tc)

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