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NP50P06KDG-E1-AY

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Numero di parte NP50P06KDG-E1-AY
fabbricante Renesas Electronics America
Descrizione MOSFET P-CH 60V 50A TO-263
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 4086 pcs
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Numero di parte NP50P06KDG-E1-AY fabbricante Renesas Electronics America
Descrizione MOSFET P-CH 60V 50A TO-263 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 4086 pcs Scheda dati NP50P06KDG
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 1mA
Vgs (Max) ±20V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore TO-263 Serie -
Rds On (max) a Id, Vgs 17 mOhm @ 25A, 10V Dissipazione di potenza (max) 1.8W (Ta), 90W (Tc)
imballaggio Tape & Reel (TR) Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
temperatura di esercizio 175°C (TJ) Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5000pF @ 10V Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 95nC @ 10V
Tipo FET P-Channel Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Tensione drain-source (Vdss) 60V
Descrizione dettagliata P-Channel 60V 50A (Tc) 1.8W (Ta), 90W (Tc) Surface Mount TO-263 Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 50A (Tc)

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