NP36P06KDG-E1-AY
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| Numero di parte | NP36P06KDG-E1-AY |
|---|---|
| fabbricante | Renesas Electronics America |
| Descrizione | MOSFET P-CH 60V 36A TO-263 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
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- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | NP36P06KDG-E1-AY | fabbricante | Renesas Electronics America |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET P-CH 60V 36A TO-263 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 5555 pcs | Scheda dati | NP36P06KDG |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 2.5V @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | TO-263 | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 29.5 mOhm @ 18A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 1.8W (Ta), 56W (Tc) |
| imballaggio | Cut Tape (CT) | Contenitore / involucro | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Altri nomi | NP36P06KDG-E1-AYCT NP36P06KDGE1AY |
temperatura di esercizio | 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3100pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 54nC @ 10V | Tipo FET | P-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 60V | Descrizione dettagliata | P-Channel 60V 36A (Tc) 1.8W (Ta), 56W (Tc) Surface Mount TO-263 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 36A (Tc) |
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