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NP160N055TUJ-E1-AY

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Numero di parte NP160N055TUJ-E1-AY
fabbricante Renesas Electronics America
Descrizione MOSFET N-CH 55V 160A TO-263-7
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 4320 pcs
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Numero di parte NP160N055TUJ-E1-AY fabbricante Renesas Electronics America
Descrizione MOSFET N-CH 55V 160A TO-263-7 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 4320 pcs Scheda dati NP160N055TUJ
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore TO-263-7 Serie -
Rds On (max) a Id, Vgs 3 mOhm @ 80A, 10V Dissipazione di potenza (max) 1.8W (Ta), 250W (Tc)
imballaggio Tape & Reel (TR) Contenitore / involucro TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Altri nomi NP160N055TUJ-E1-AY-ND
NP160N055TUJ-E1-AYTR
temperatura di esercizio 175°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 10350pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 180nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Tensione drain-source (Vdss) 55V Descrizione dettagliata N-Channel 55V 160A (Tc) 1.8W (Ta), 250W (Tc) Surface Mount TO-263-7
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 160A (Tc)

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