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NP100N04PUK-E1-AY

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Numero di parte NP100N04PUK-E1-AY
fabbricante Renesas Electronics America
Descrizione MOSFET N-CH 40V 100A TO-263
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 5351 pcs
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Numero di parte NP100N04PUK-E1-AY fabbricante Renesas Electronics America
Descrizione MOSFET N-CH 40V 100A TO-263 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 5351 pcs Scheda dati NP100N04PUK Drawing
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id -
Vgs (Max) ±20V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore TO-263 Serie -
Rds On (max) a Id, Vgs 2.3 mOhm @ 50A, 10V Dissipazione di potenza (max) 1.8W (Ta), 176W (Tc)
imballaggio Tube Contenitore / involucro TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
temperatura di esercizio 175°C (TJ) Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 7050pF @ 25V Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 120nC @ 10V
Tipo FET N-Channel Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V Tensione drain-source (Vdss) 40V
Descrizione dettagliata N-Channel 40V 100A (Tc) 1.8W (Ta), 176W (Tc) Surface Mount TO-263 Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 100A (Tc)

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