2SK2221-E
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| Numero di parte | 2SK2221-E |
|---|---|
| fabbricante | Renesas Electronics America |
| Descrizione | MOSFET N-CH 200V 8A TO-3P |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | Get a quote | ||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | 2SK2221-E | fabbricante | Renesas Electronics America |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 200V 8A TO-3P | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 5656 pcs | Scheda dati | 2SK2220/21 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | - |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | TO-3P | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | - | Dissipazione di potenza (max) | 100W (Tc) |
| imballaggio | Tube | Contenitore / involucro | TO-3P-3, SC-65-3 |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 600pF @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Tensione drain-source (Vdss) | 200V | Descrizione dettagliata | N-Channel 200V 8A (Ta) 100W (Tc) Through Hole TO-3P |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 8A (Ta) |
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