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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo, pre-polarizzato > UNR521DG0L

UNR521DG0L

UNR521DG0L
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Numero di parte UNR521DG0L
fabbricante Panasonic
Descrizione TRANS PREBIAS NPN 150MW SMINI3
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 5311 pcs
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Numero di parte UNR521DG0L fabbricante Panasonic
Descrizione TRANS PREBIAS NPN 150MW SMINI3 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 5311 pcs Scheda dati UNR521xG Series
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA Tipo transistor NPN - Pre-Biased
Contenitore dispositivo fornitore SMini3-F2 Serie -
Resistor - Emitter Base (R2) 10 kOhms Resistor - Base (R1) 47 kOhms
Potenza - Max 150mW imballaggio Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro SC-85 Altri nomi UNR521DG0LTR
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Frequenza - transizione 150MHz
Descrizione dettagliata Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150MHz 150mW Surface Mount SMini3-F2 Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 10V
Corrente - Cutoff collettore (max) 500nA Corrente - collettore (Ic) (max) 100mA

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