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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo, pre-polarizzato > UNR31AEG0L

UNR31AEG0L

UNR31AEG0L
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Numero di parte UNR31AEG0L
fabbricante Panasonic
Descrizione TRANS PREBIAS PNP 100MW SSSMINI3
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 4842 pcs
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Numero di parte UNR31AEG0L fabbricante Panasonic
Descrizione TRANS PREBIAS PNP 100MW SSSMINI3 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 4842 pcs Scheda dati UNR31AEG
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA Tipo transistor PNP - Pre-Biased
Contenitore dispositivo fornitore SSSMini3-F1 Serie -
Resistor - Emitter Base (R2) 22 kOhms Resistor - Base (R1) 47 kOhms
Potenza - Max 100mW imballaggio Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro SOT-723 Altri nomi UNR31AEG0LCT
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Frequenza - transizione 80MHz
Descrizione dettagliata Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 80mA 80MHz 100mW Surface Mount SSSMini3-F1 Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 60 @ 5mA, 10V
Corrente - Cutoff collettore (max) 500nA Corrente - collettore (Ic) (max) 80mA

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