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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo, pre-polarizzato > DRC2115G0L

DRC2115G0L

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Numero di parte DRC2115G0L
fabbricante Panasonic
Descrizione TRANS PREBIAS NPN 200MW MINI3
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 711166 pcs
Prezzo di Riferimento
(in dollari USA)		1 pcs10 pcs25 pcs100 pcs
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Numero di parte DRC2115G0L fabbricante Panasonic
Descrizione TRANS PREBIAS NPN 200MW MINI3 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 711166 pcs Scheda dati DRC2115G0L
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 250mV @ 500µA, 10mA Tipo transistor NPN - Pre-Biased
Contenitore dispositivo fornitore Mini3-G3-B Serie -
Resistor - Emitter Base (R2) 100 kOhms Potenza - Max 200mW
imballaggio Original-Reel® Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Altri nomi DRC2115G0LDKR Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) Produttore tempi di consegna standard 11 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Descrizione dettagliata Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 200mW Surface Mount Mini3-G3-B
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V Corrente - Cutoff collettore (max) 500nA
Corrente - collettore (Ic) (max) 100mA Numero di parte base DRC2115

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