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PHB20NQ20T,118

PHB20NQ20T,118
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Numero di parte PHB20NQ20T,118
fabbricante Nexperia
Descrizione MOSFET N-CH 200V 20A D2PAK
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 60606 pcs
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Numero di parte PHB20NQ20T,118 fabbricante Nexperia
Descrizione MOSFET N-CH 200V 20A D2PAK Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 60606 pcs Scheda dati PHB20NQ20T
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 4V @ 1mA
Vgs (Max) ±20V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore D2PAK Serie TrenchMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs 130 mOhm @ 10A, 10V Dissipazione di potenza (max) 150W (Tc)
imballaggio Cut Tape (CT) Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Altri nomi 1727-7201-1
568-9692-1
568-9692-1-ND
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2470pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 65nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Tensione drain-source (Vdss) 200V Descrizione dettagliata N-Channel 200V 20A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount D2PAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 20A (Tc)

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