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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo, pre-polarizzato > PDTD113EUF

PDTD113EUF

PDTD113EUF
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Numero di parte PDTD113EUF
fabbricante Nexperia
Descrizione TRANS PREBIAS NPN 0.425W
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 1214466 pcs
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Numero di parte PDTD113EUF fabbricante Nexperia
Descrizione TRANS PREBIAS NPN 0.425W Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 1214466 pcs Scheda dati PDTD1zzzU Series
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 100mV @ 2.5mA, 50mA Tipo transistor NPN - Pre-Biased
Contenitore dispositivo fornitore SOT-323-3 Serie -
Resistor - Emitter Base (R2) 1 kOhms Resistor - Base (R1) 1 kOhms
Potenza - Max 300mW imballaggio Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro SC-70, SOT-323 Altri nomi 934068341135
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Frequenza - transizione 225MHz
Descrizione dettagliata Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 225MHz 300mW Surface Mount SOT-323-3 Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 33 @ 50mA, 5V
Corrente - Cutoff collettore (max) 500nA Corrente - collettore (Ic) (max) 500mA

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