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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo, pre-polarizzato > PDTC115EU,115

PDTC115EU,115

PDTC115EU,115
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Numero di parte PDTC115EU,115
fabbricante Nexperia
Descrizione TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 2239881 pcs
Prezzo di Riferimento
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Numero di parte PDTC115EU,115 fabbricante Nexperia
Descrizione TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 2239881 pcs Scheda dati PDTC115E Series
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 150mV @ 250µA, 5mA Tipo transistor NPN - Pre-Biased
Contenitore dispositivo fornitore SOT-323-3 Serie -
Resistor - Emitter Base (R2) 100 kOhms Resistor - Base (R1) 100 kOhms
Potenza - Max 200mW imballaggio Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro SC-70, SOT-323 Altri nomi 934057289115
PDTC115EU T/R
PDTC115EU T/R-ND
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Descrizione dettagliata Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 20mA 200mW Surface Mount SOT-323-3
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 5V Corrente - Cutoff collettore (max) 1µA
Corrente - collettore (Ic) (max) 20mA Numero di parte base PDTC115

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