BUK9Y19-55B/C2,115
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| Numero di parte | BUK9Y19-55B/C2,115 |
|---|---|
| fabbricante | Nexperia |
| Descrizione | MOSFET N-CH 55V 46A LFPAK |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | Get a quote | ||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | BUK9Y19-55B/C2,115 | fabbricante | Nexperia |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 55V 46A LFPAK | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 5895 pcs | Scheda dati | BUK9Y19-55B |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 2V @ 1mA |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | Contenitore dispositivo fornitore | LFPAK56, Power-SO8 |
| Serie | TrenchMOS™ | Rds On (max) a Id, Vgs | 17.3 mOhm @ 20A, 10V |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | SC-100, SOT-669, 4-LFPAK |
| Altri nomi | 934065433115 | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1992pF @ 25V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 5V |
| Tipo FET | N-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione drain-source (Vdss) | 55V | Descrizione dettagliata | N-Channel 55V 46A Surface Mount LFPAK56, Power-SO8 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 46A |
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