BUK7E5R2-100E,127
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| Numero di parte | BUK7E5R2-100E,127 |
|---|---|
| fabbricante | Nexperia |
| Descrizione | MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | 50 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $1.283 | $1.034 | $0.931 | $0.724 | $0.60 | |
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | BUK7E5R2-100E,127 | fabbricante | Nexperia |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 64290 pcs | Scheda dati | BUK7E5R2-100E |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 4V @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | I2PAK | Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 5.2 mOhm @ 25A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 349W (Tc) |
| imballaggio | Tube | Contenitore / involucro | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Altri nomi | 1727-7247 568-9856-5 568-9856-5-ND 934066518127 BUK7E5R2100E127 |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Through Hole | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 11810pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 180nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 100V | Descrizione dettagliata | N-Channel 100V 120A (Tc) 349W (Tc) Through Hole I2PAK |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 120A (Tc) |
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