PSMN3R2-25YLC,115
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| Numero di parte | PSMN3R2-25YLC,115 |
|---|---|
| fabbricante | NXP Semiconductors / Freescale |
| Descrizione | MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | Get a quote | ||||
- Parametro del prodotto
Product parameter
| Numero di parte | PSMN3R2-25YLC,115 | fabbricante | NXP Semiconductors / Freescale |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 5851 pcs | Scheda dati | |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 1.95V @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | LFPAK56, Power-SO8 | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 3.4 mOhm @ 25A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 79W (Tc) |
| imballaggio | Cut Tape (CT) | Contenitore / involucro | SC-100, SOT-669, 4-LFPAK |
| Altri nomi | 568-6732-1 | temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1781pF @ 12V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 25V | Descrizione dettagliata | N-Channel 25V 100A (Tc) 79W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 100A (Tc) |
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SIT9121AI-2DF-25E200.000000Y - Produttori:
SiTime - Descrizione:
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34575