PSMN004-55W,127
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| Numero di parte | PSMN004-55W,127 |
|---|---|
| fabbricante | NXP Semiconductors / Freescale |
| Descrizione | MOSFET N-CH 55V 100A SOT429 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | Get a quote | ||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | PSMN004-55W,127 | fabbricante | NXP Semiconductors / Freescale |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 55V 100A SOT429 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 5952 pcs | Scheda dati | PSMN004-55W |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 2V @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±15V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | TO-247-3 | Serie | TrenchMOS™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 4.2 mOhm @ 25A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 300W (Tc) |
| imballaggio | Tube | Contenitore / involucro | TO-247-3 |
| Altri nomi | 934055815127 PSMN004-55W PSMN004-55W-ND |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Through Hole | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 13000pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 226nC @ 5V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 55V | Descrizione dettagliata | N-Channel 55V 100A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247-3 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 100A (Tc) |
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- Parte#:
432203-17-0 - Produttori:
Curtis Industries - Descrizione:
CONN BARRIER STRP 17CIRC 0.438" - Disponibile:
10560
