PMV65UN,215
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| Numero di parte | PMV65UN,215 |
|---|---|
| fabbricante | NXP Semiconductors / Freescale |
| Descrizione | MOSFET N-CH 20V 2A SOT-23 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | Get a quote | ||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | PMV65UN,215 | fabbricante | NXP Semiconductors / Freescale |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 20V 2A SOT-23 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 5843 pcs | Scheda dati | PMV65UN Datasheet |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 1V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±8V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | TO-236AB (SOT23) | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 76 mOhm @ 2A, 4.5V | Dissipazione di potenza (max) | 310mW (Ta), 2.17W (Tc) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Altri nomi | 568-10837-2 934066505215 PMV65UN,215-ND |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 183pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 3.9nC @ 4.5V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 20V | Descrizione dettagliata | N-Channel 20V 2.2A (Ta) 310mW (Ta), 2.17W (Tc) Surface Mount TO-236AB (SOT23) |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 2.2A (Ta) |
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