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PMV56XN,215

PMV56XN,215
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Numero di parte PMV56XN,215
fabbricante NXP Semiconductors / Freescale
Descrizione MOSFET N-CH 20V 3.76A SOT23
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 6033 pcs
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Numero di parte PMV56XN,215 fabbricante NXP Semiconductors / Freescale
Descrizione MOSFET N-CH 20V 3.76A SOT23 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 6033 pcs Scheda dati
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 650mV @ 1mA
Vgs (Max) ±8V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore TO-236AB (SOT23) Serie TrenchMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs 85 mOhm @ 3.6A, 4.5V Dissipazione di potenza (max) 1.92W (Tc)
imballaggio Original-Reel® Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Altri nomi 568-6540-6 temperatura di esercizio -65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 230pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 5.4nC @ 4.5V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
Tensione drain-source (Vdss) 20V Descrizione dettagliata N-Channel 20V 3.76A (Tc) 1.92W (Tc) Surface Mount TO-236AB (SOT23)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3.76A (Tc)

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