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PMV117EN,215

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Numero di parte PMV117EN,215
fabbricante NXP Semiconductors / Freescale
Descrizione MOSFET N-CH 30V 2.5A SOT23
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 4154 pcs
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Numero di parte PMV117EN,215 fabbricante NXP Semiconductors / Freescale
Descrizione MOSFET N-CH 30V 2.5A SOT23 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 4154 pcs Scheda dati
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 2V @ 1mA
Vgs (Max) ±20V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore TO-236AB (SOT23) Serie TrenchMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs 117 mOhm @ 500mA, 10V Dissipazione di potenza (max) 830mW (Tc)
imballaggio Tape & Reel (TR) Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Altri nomi 568-8111-2
934057733215
PMV117EN T/R
PMV117EN T/R-ND
PMV117EN,215-ND		 temperatura di esercizio -65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 147pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 4.6nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 30V Descrizione dettagliata N-Channel 30V 2.5A (Tc) 830mW (Tc) Surface Mount TO-236AB (SOT23)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2.5A (Tc)

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