PMN23UN,165
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| Numero di parte | PMN23UN,165 |
|---|---|
| fabbricante | NXP Semiconductors / Freescale |
| Descrizione | MOSFET N-CH 20V 6.3A 6TSOP |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | Get a quote | ||||
- Parametro del prodotto
Product parameter
| Numero di parte | PMN23UN,165 | fabbricante | NXP Semiconductors / Freescale |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 20V 6.3A 6TSOP | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 5434 pcs | Scheda dati | |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 700mV @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±8V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | 6-TSOP | Serie | TrenchMOS™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 28 mOhm @ 2A, 4.5V | Dissipazione di potenza (max) | 1.75W (Tc) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | SC-74, SOT-457 |
| Altri nomi | 934058058165 PMN23UN /T2 PMN23UN /T2-ND |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 740pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 10.6nC @ 4.5V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 20V | Descrizione dettagliata | N-Channel 20V 6.3A (Tc) 1.75W (Tc) Surface Mount 6-TSOP |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 6.3A (Tc) |
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