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PHX8NQ11T,127

PHX8NQ11T,127
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Numero di parte PHX8NQ11T,127
fabbricante NXP Semiconductors / Freescale
Descrizione MOSFET N-CH 110V 7.5A SOT186A
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 5345 pcs
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Numero di parte PHX8NQ11T,127 fabbricante NXP Semiconductors / Freescale
Descrizione MOSFET N-CH 110V 7.5A SOT186A Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 5345 pcs Scheda dati PHX8NQ11T
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 4V @ 1mA
Vgs (Max) ±20V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore TO-220F Serie TrenchMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs 180 mOhm @ 6A, 10V Dissipazione di potenza (max) 27.7W (Tc)
imballaggio Tube Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Altri nomi 934058496127
PHX8NQ11T
PHX8NQ11T-ND		 temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Through Hole Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 360pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 14.7nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Tensione drain-source (Vdss) 110V Descrizione dettagliata N-Channel 110V 7.5A (Tc) 27.7W (Tc) Through Hole TO-220F
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 7.5A (Tc)

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