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Numero di parte PHP119NQ06T,127
fabbricante NXP Semiconductors / Freescale
Descrizione MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 4488 pcs
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Numero di parte PHP119NQ06T,127 fabbricante NXP Semiconductors / Freescale
Descrizione MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 4488 pcs Scheda dati PHP119NQ06T
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 4V @ 1mA
Vgs (Max) ±20V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore TO-220AB Serie TrenchMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs 7.1 mOhm @ 25A, 10V Dissipazione di potenza (max) 200W (Tc)
imballaggio Tube Contenitore / involucro TO-220-3
Altri nomi 934058552127
PHP119NQ06T
PHP119NQ06T-ND		 temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio Through Hole Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2820pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 53nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Tensione drain-source (Vdss) 55V Descrizione dettagliata N-Channel 55V 75A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220AB
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 75A (Tc)

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