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PHB11N06LT,118

PHB11N06LT,118
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Numero di parte PHB11N06LT,118
fabbricante NXP Semiconductors / Freescale
Descrizione MOSFET N-CH 55V 10.3A D2PAK
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 4752 pcs
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Numero di parte PHB11N06LT,118 fabbricante NXP Semiconductors / Freescale
Descrizione MOSFET N-CH 55V 10.3A D2PAK Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 4752 pcs Scheda dati PHB,PHD,PHP11N06LT
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 2V @ 1mA
Vgs (Max) ±15V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore D2PAK Serie TrenchMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs 130 mOhm @ 5.5A, 10V Dissipazione di potenza (max) 33W (Tc)
imballaggio Tape & Reel (TR) Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Altri nomi 934055182118
PHB11N06LT /T3
PHB11N06LT /T3-ND
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 330pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 5.2nC @ 5V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 55V Descrizione dettagliata N-Channel 55V 10.3A (Tc) 33W (Tc) Surface Mount D2PAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 10.3A (Tc)

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