PBSS8110S,126
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| Numero di parte | PBSS8110S,126 |
|---|---|
| fabbricante | NXP Semiconductors / Freescale |
| Descrizione | TRANS NPN 100V 1A TO92 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
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- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | PBSS8110S,126 | fabbricante | NXP Semiconductors / Freescale |
|---|---|---|---|
| Descrizione | TRANS NPN 100V 1A TO92 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 4749 pcs | Scheda dati | PBSS8110S |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Tensione - rottura collettore-emettitore (max) | 100V |
| Vce saturazione (max) a Ib, Ic | 200mV @ 100mA, 1A | Tipo transistor | NPN |
| Contenitore dispositivo fornitore | TO-92-3 | Serie | - |
| Potenza - Max | 830mW | imballaggio | Tape & Box (TB) |
| Contenitore / involucro | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) | Altri nomi | 934057671126 PBSS8110S AMO PBSS8110S AMO-ND |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequenza - transizione | 100MHz | Descrizione dettagliata | Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 1A 100MHz 830mW Through Hole TO-92-3 |
| Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce | 150 @ 250mA, 10V | Corrente - Cutoff collettore (max) | 100nA |
| Corrente - collettore (Ic) (max) | 1A | Numero di parte base | PBSS8110 |
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