PBRN113ES,126
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| Numero di parte | PBRN113ES,126 |
|---|---|
| fabbricante | NXP Semiconductors / Freescale |
| Descrizione | TRANS PREBIAS NPN 0.7W TO92-3 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
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- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | PBRN113ES,126 | fabbricante | NXP Semiconductors / Freescale |
|---|---|---|---|
| Descrizione | TRANS PREBIAS NPN 0.7W TO92-3 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 5815 pcs | Scheda dati | PBRN113E Series |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Tensione - rottura collettore-emettitore (max) | 40V |
| Vce saturazione (max) a Ib, Ic | 1.15V @ 8mA, 800mA | Tipo transistor | NPN - Pre-Biased |
| Contenitore dispositivo fornitore | TO-92-3 | Serie | - |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 1 kOhms | Resistor - Base (R1) | 1 kOhms |
| Potenza - Max | 700mW | imballaggio | Tape & Box (TB) |
| Contenitore / involucro | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) | Altri nomi | 934058999126 PBRN113ES AMO PBRN113ES AMO-ND |
| Tipo montaggio | Through Hole | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Descrizione dettagliata | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 40V 800mA 700mW Through Hole TO-92-3 |
| Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce | 180 @ 300mA, 5V | Corrente - Cutoff collettore (max) | 500nA |
| Corrente - collettore (Ic) (max) | 800mA | Numero di parte base | PBRN113 |
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