BUK9E6R1-100E,127
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| Numero di parte | BUK9E6R1-100E,127 |
|---|---|
| fabbricante | NXP Semiconductors / Freescale |
| Descrizione | MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
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- Parametro del prodotto
Product parameter
| Numero di parte | BUK9E6R1-100E,127 | fabbricante | NXP Semiconductors / Freescale |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 5893 pcs | Scheda dati | |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 2.1V @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±10V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | I2PAK | Serie | TrenchMOS™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 5.9 mOhm @ 25A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 349W (Tc) |
| imballaggio | Tube | Contenitore / involucro | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Altri nomi | 568-9877-5 934066517127 BUK9E6R1100E127 |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Through Hole | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 17460pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 133nC @ 5V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 100V | Descrizione dettagliata | N-Channel 100V 120A (Tc) 349W (Tc) Through Hole I2PAK |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 120A (Tc) |
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