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BUK968R3-40E,118

BUK968R3-40E,118
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Numero di parte BUK968R3-40E,118
fabbricante NXP Semiconductors / Freescale
Descrizione MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 4695 pcs
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Numero di parte BUK968R3-40E,118 fabbricante NXP Semiconductors / Freescale
Descrizione MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 4695 pcs Scheda dati
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 2.1V @ 1mA
Vgs (Max) ±10V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore D2PAK Serie TrenchMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs 6.4 mOhm @ 20A, 10V Dissipazione di potenza (max) 96W (Tc)
imballaggio Cut Tape (CT) Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Altri nomi 568-9893-1 temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2600pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 20.9nC @ 5V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 40V Descrizione dettagliata N-Channel 40V 75A (Tc) 96W (Tc) Surface Mount D2PAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 75A (Tc)

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