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Numero di parte BUK951R9-40E,127
fabbricante NXP Semiconductors / Freescale
Descrizione MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 4821 pcs
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Numero di parte BUK951R9-40E,127 fabbricante NXP Semiconductors / Freescale
Descrizione MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 4821 pcs Scheda dati BUK951R9-40E
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 2.1V @ 1mA
Vgs (Max) ±10V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore TO-220AB Serie TrenchMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs 1.7 mOhm @ 25A, 10V Dissipazione di potenza (max) 349W (Tc)
imballaggio Tube Contenitore / involucro TO-220-3
Altri nomi 568-9860-5
934066521127
BUK951R940E127		 temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio Through Hole Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 16400pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 120nC @ 5V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 40V Descrizione dettagliata N-Channel 40V 120A (Tc) 349W (Tc) Through Hole TO-220AB
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 120A (Tc)

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