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BUK7Y54-75B,115

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Numero di parte BUK7Y54-75B,115
fabbricante NXP Semiconductors / Freescale
Descrizione MOSFET N-CH 75V 21.4A LFPAK
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 4607 pcs
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Numero di parte BUK7Y54-75B,115 fabbricante NXP Semiconductors / Freescale
Descrizione MOSFET N-CH 75V 21.4A LFPAK Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 4607 pcs Scheda dati
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 4V @ 1mA
Vgs (Max) ±20V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore LFPAK56, Power-SO8 Serie TrenchMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs 54 mOhm @ 10A, 10V Dissipazione di potenza (max) 59W (Tc)
imballaggio Tape & Reel (TR) Contenitore / involucro SC-100, SOT-669, 4-LFPAK
Altri nomi 568-5521-2
934063304115
BUK7Y5475B115
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 803pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Tensione drain-source (Vdss) 75V Descrizione dettagliata N-Channel 75V 21.4A (Tc) 59W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 21.4A (Tc)

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