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BUK653R2-55C,127

BUK653R2-55C,127
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Numero di parte BUK653R2-55C,127
fabbricante NXP Semiconductors / Freescale
Descrizione MOSFET N-CH 55V 120A TO220AB
Stato Lead senza piombo / RoHS Contiene piombo / RoHS non conforme
In Stock 5794 pcs
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Numero di parte BUK653R2-55C,127 fabbricante NXP Semiconductors / Freescale
Descrizione MOSFET N-CH 55V 120A TO220AB Stato Lead senza piombo / RoHS Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile 5794 pcs Scheda dati
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 2.8V @ 1mA
Vgs (Max) ±16V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore TO-220AB Serie TrenchMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs 3.2 mOhm @ 25A, 10V Dissipazione di potenza (max) 306W (Tc)
imballaggio Tube Contenitore / involucro TO-220-3
Altri nomi 568-7495-5
934064468127
BUK653R2-55C,127-ND
BUK653R255C127		 temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio Through Hole Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Contains lead / RoHS non-compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 15300pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 258nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 55V Descrizione dettagliata N-Channel 55V 120A (Tc) 306W (Tc) Through Hole TO-220AB
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 120A (Tc)

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