BUK652R0-30C,127
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| Numero di parte | BUK652R0-30C,127 |
|---|---|
| fabbricante | NXP Semiconductors / Freescale |
| Descrizione | MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Contiene piombo / RoHS non conforme |
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- Parametro del prodotto
Product parameter
| Numero di parte | BUK652R0-30C,127 | fabbricante | NXP Semiconductors / Freescale |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB | Stato Lead senza piombo / RoHS | Contiene piombo / RoHS non conforme |
| quantità disponibile | 4760 pcs | Scheda dati | |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 2.8V @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±16V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | TO-220AB | Serie | TrenchMOS™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 2.2 mOhm @ 25A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 306W (Tc) |
| imballaggio | Tube | Contenitore / involucro | TO-220-3 |
| Altri nomi | 568-7490-5 934064466127 BUK652R0-30C,127-ND BUK652R030C127 |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Through Hole | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 14964pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 229nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 30V | Descrizione dettagliata | N-Channel 30V 120A (Tc) 306W (Tc) Through Hole TO-220AB |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 120A (Tc) |
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