BS108/01,126
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| Numero di parte | BS108/01,126 |
|---|---|
| fabbricante | NXP Semiconductors / Freescale |
| Descrizione | MOSFET N-CH 200V 300MA SOT54 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
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- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | BS108/01,126 | fabbricante | NXP Semiconductors / Freescale |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 200V 300MA SOT54 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 5460 pcs | Scheda dati | BS108 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 1.8V @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | TO-92-3 | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 5 Ohm @ 100mA, 2.8V | Dissipazione di potenza (max) | 1W (Ta) |
| imballaggio | Tape & Box (TB) | Contenitore / involucro | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Altri nomi | 934009850126 BS108/01 AMO BS108/01 AMO-ND |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Through Hole | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 120pF @ 25V |
| Tipo FET | N-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 2.8V | Tensione drain-source (Vdss) | 200V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 200V 300mA (Ta) 1W (Ta) Through Hole TO-92-3 | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 300mA (Ta) |
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