A2V09H525-04NR6
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| Numero di parte | A2V09H525-04NR6 |
|---|---|
| fabbricante | NXP Semiconductors / Freescale |
| Descrizione | AIRFAST RF LDMOS WIDEBAND INTEGR |
| Stato Lead senza piombo / RoHS |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 150 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $50.222 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | A2V09H525-04NR6 | fabbricante | NXP Semiconductors / Freescale |
|---|---|---|---|
| Descrizione | AIRFAST RF LDMOS WIDEBAND INTEGR | Stato Lead senza piombo / RoHS | |
| quantità disponibile | 760 pcs | Scheda dati | A2V09H525-04NR6 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Tensione - Prova | 48V |
| Tensione - nominale | 105V | Tipo transistor | LDMOS |
| Contenitore dispositivo fornitore | OM-1230-4L | Serie | - |
| Alimentazione - uscita | 120W | Contenitore / involucro | OM-1230-4L |
| Altri nomi | 935330045528 | Figura di rumore | - |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) | Guadagno | 18.9dB |
| Frequenza | 720MHz ~ 960MHz | Descrizione dettagliata | RF Mosfet LDMOS 48V 688mA 720MHz ~ 960MHz 18.9dB 120W OM-1230-4L |
| Valutazione attuale | 10µA | Corrente - Test | 688mA |
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