A2G35S200-01SR3
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| Numero di parte | A2G35S200-01SR3 |
|---|---|
| fabbricante | NXP Semiconductors / Freescale |
| Descrizione | AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR |
| Stato Lead senza piombo / RoHS |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 250 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $44.214 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | A2G35S200-01SR3 | fabbricante | NXP Semiconductors / Freescale |
|---|---|---|---|
| Descrizione | AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR | Stato Lead senza piombo / RoHS | |
| quantità disponibile | 779 pcs | Scheda dati | A2G35S200-01SR3 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Tensione - Prova | 48V |
| Tensione - nominale | 125V | Tipo transistor | LDMOS |
| Contenitore dispositivo fornitore | NI-400S-2S | Serie | - |
| Alimentazione - uscita | 180W | Contenitore / involucro | NI-400S-2S |
| Altri nomi | 935320919118 | Figura di rumore | - |
| Guadagno | 16.1dB | Frequenza | 3.4GHz ~ 3.6GHz |
| Descrizione dettagliata | RF Mosfet LDMOS 48V 291mA 3.4GHz ~ 3.6GHz 16.1dB 180W NI-400S-2S | Valutazione attuale | - |
| Corrente - Test | 291mA |
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