JANTXV2N7334
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| Numero di parte | JANTXV2N7334 |
|---|---|
| fabbricante | Microsemi Corporation |
| Descrizione | MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Contiene piombo / RoHS non conforme |
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- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | JANTXV2N7334 | fabbricante | Microsemi Corporation |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB | Stato Lead senza piombo / RoHS | Contiene piombo / RoHS non conforme |
| quantità disponibile | 5770 pcs | Scheda dati | 2N7334 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Tensione - Prova | - |
| Tensione - Ripartizione | MO-036AB | Vgs (th) (max) a Id | 700 mOhm @ 600mA, 10V |
| Serie | Military, MIL-PRF-19500/597 | Stato RoHS | Bulk |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 1A | Potenza - Max | 1.4W |
| Polarizzazione | 14-DIP (0.300", 7.62mm) | Altri nomi | JANTXV2N7334-MIL |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL) | 1 (Unlimited) | codice articolo del costruttore | JANTXV2N7334 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 60nC @ 10V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 4V @ 250µA |
| Caratteristica FET | 4 N-Channel | Descrizione espansione | Mosfet Array 4 N-Channel 100V 1A 1.4W Through Hole MO-036AB |
| Tensione drain-source (Vdss) | Standard | Descrizione | MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 100V |
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