JANTXV2N6766
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| Numero di parte | JANTXV2N6766 |
|---|---|
| fabbricante | Microsemi |
| Descrizione | MOSFET N-CH |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Contiene piombo / RoHS non conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | Get a quote | ||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | JANTXV2N6766 | fabbricante | Microsemi |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH | Stato Lead senza piombo / RoHS | Contiene piombo / RoHS non conforme |
| quantità disponibile | 5488 pcs | Scheda dati | 2N6764,66,68,70 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | TO-3 | Serie | Military, MIL-PRF-19500/543 |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 90 mOhm @ 30A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 4W (Ta), 150W (Tc) |
| imballaggio | Bulk | Contenitore / involucro | TO-204AE |
| Altri nomi | JANTXV2N6766-MIL | temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Through Hole | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 115nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Tensione drain-source (Vdss) | 200V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 200V 30A (Tc) 4W (Ta), 150W (Tc) Through Hole TO-3 | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 30A (Tc) |
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